Samsung ha annunciato l'inizio della produzione di massa della memoria DRAM DDR16 da 5 gigabit, che utilizza il processo tecnologico più avanzato del settore della classe a 12 nanometri. Il completamento del più moderno processo produttivo conferma ancora una volta la leadership dell'azienda Samsung nel campo delle tecnologie DRAM avanzate.
Rispetto alla generazione precedente, la nuova RAM Samsung La DRAM DDR5 di classe 12nm riduce il consumo energetico del 23% aumentando le prestazioni del wafer del 20%. L'eccezionale efficienza energetica lo rende una soluzione ideale per le aziende IT globali che desiderano ridurre il consumo energetico e l'impronta di carbonio dei propri server e data center.
sviluppo Samsung La tecnologia di processo a 12 nm è resa possibile dall'utilizzo di un nuovo materiale ad alta conduttività, che contribuisce ad aumentare la capacità delle celle. L'elevata capacità porta a una differenza significativa nei potenziali elettrici nei segnali di dati, il che rende più facile distinguerli con precisione. Gli sforzi dell'azienda per ridurre la tensione operativa e ridurre il rumore hanno anche contribuito a creare la soluzione ottimale di cui i clienti avevano bisogno.
Con una velocità massima di 7,2 gigabit al secondo, il che significa che è possibile elaborare due film UHD da 30 GB in circa un secondo, la linea DRAM DDR5 a 12 nm di Samsung supporterà un elenco crescente di applicazioni, inclusi data center, intelligenza artificiale e elaborazione di nuova generazione.
Lo scorso dicembre, Samsung ha completato i test della sua DRAM DDR16 da 5 gigabit per la compatibilità con AMD e continua a collaborare con le aziende IT globali per promuovere l'innovazione nel mercato delle DRAM di nuova generazione.
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