Azienda Samsung Electronics ha annunciato l'avvio della produzione in serie del primo sistema a cristallo singolo System-on-Chip (SoC, leggi i dettagli qui) sul processo FinFET a 10 nm.
"La prima soluzione FinFET a 10 nm di produzione di massa sul mercato conferma la nostra leadership nello sviluppo di tecnologie avanzate", ha dichiarato Yeon Shi-yun, Executive Vice President, Head of the Semiconductor Manufacturing Division Samsung Elettronica. - Continueremo a compiere ogni sforzo per creare tecnologie scalabili innovative e fornire agli utenti soluzioni integrate differenziate".
Nuovo processore Samsung 10nm FinFET (10LPE) ha una struttura 3D a transistor avanzata. La sua tecnologia operativa e il design sono stati migliorati rispetto alla precedente versione a 14 nm, fornendo un'efficienza della superficie specifica superiore del 30%, prestazioni superiori del 40% e un consumo energetico inferiore del 40%. Per rimuovere i limiti di scalabilità, la nuova soluzione utilizza la soluzione tecnica più recente: la tripla strutturazione. Fornisce il routing bidirezionale per supportare una maggiore flessibilità nella progettazione e nel routing rispetto ai modelli precedenti.
Prima Samsung ha presentato la prima generazione di soluzioni per il processo tecnologico a 10 nm (10LPE). La seconda generazione (10LPP) ha migliorato le prestazioni, l'inizio della sua produzione di massa è previsto per la seconda metà del 2017.
In stretta collaborazione con i partner Samsung intende inoltre creare un ecosistema di semiconduttori funzionale che integri flusso di riferimento, proprietà intellettuale e strumenti di verifica della libreria. Un Production Development Kit (PDK) e un IP Development Kit sono attualmente disponibili per lanciare l'architettura.
Il sistema SoC a 10 nm sarà utilizzato nei dispositivi digitali dall'inizio del prossimo anno. Dovrebbero diventare disponibili per il consumatore di massa nel corso del 2017. Puoi saperne di più sull'azienda in linea .
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