Produttore giapponese di microcircuiti Kiossia memoria flash sviluppata NAND con circa 170 strati, unendo la sua controparte americana Micron Technology e la SK Hynix della Corea del Sud nello sviluppo di tecnologie avanzate.
La nuova memoria NAND è stata sviluppata insieme a un partner americano Western Digital e può registrare i dati due volte più velocemente dell'attuale prodotto di punta di Kioxia, che consiste di 112 livelli.
Precedentemente noto come Toshiba Memory, Kioxia prevede di svelare la sua nuova NAND all'International Solid State Conference, il forum globale annuale dell'industria dei semiconduttori, e prevede di avviare la produzione di massa già dal prossimo anno.
Spera di soddisfare la domanda associata a data center e smartphone, poiché la diffusione delle tecnologie wireless di quinta generazione porta a maggiori volumi e velocità di trasmissione dei dati. Ma la concorrenza in questo campo si sta già intensificando: Micron e SK Hynix stanno annunciando i loro nuovi prodotti.
Kioxia è anche riuscita a inserire più celle di memoria per strato con la sua nuova NAND, il che significa che può rendere i chip più piccoli del 30% rispetto ad altri con la stessa quantità di memoria. Microcircuiti più piccoli consentiranno una maggiore flessibilità nella creazione di smartphone, server e altri prodotti.
Per aumentare la produzione di memorie flash, Kioxia e Western Digital hanno in programma di avviare la costruzione di un impianto da 9,45 miliardi di dollari a Yokkaido, in Giappone, questa primavera. Mirano a mettere in funzione le prime linee già nel 2022.
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