Azienda Tecnologia Micron ha annunciato l'inizio delle consegne della prima memoria flash a 176 layer al mondo 3D NAND. Secondo il produttore, l'uso di un'architettura avanzata ha permesso di fare una "svolta radicale", aumentando in modo significativo non solo la densità di archiviazione, ma anche le prestazioni. La nuova memoria troverà applicazioni nell'archiviazione per data center, periferiche intelligenti e dispositivi mobili.
La novità è la quinta generazione di 3D NAND e nella seconda generazione dell'architettura RG (replacement-gate), essendo la più avanzata tecnologicamente tra gli sviluppi disponibili sul mercato. Rispetto alla precedente generazione di NAND 3D prodotta da Micron, i ritardi di lettura e scrittura sono stati ridotti di oltre il 35%. Un altro vantaggio è il design compatto: il die di memoria a 176 strati è più piccolo di circa il 30% rispetto alle migliori offerte della concorrenza, rendendo la nuova memoria ideale per le applicazioni in cui è importante un fattore di forma ridotto.
La NAND 3D di quinta generazione di Micron vanta anche una velocità di trasferimento dati leader del settore di 1600 milioni di trasferimenti al secondo (MT/s) sul bus Open NAND Flash Interface (ONFI), che è il 33% più veloce rispetto ai 1200 MT/s raggiunti da Memorie 96D NAND Micron a 128 e 3 strati delle generazioni precedenti.
Micron sta collaborando con i rappresentanti del settore per accelerare l'adozione della nuova memoria. La memoria NAND 176D a tre livelli a 3 strati di Micron è in produzione in serie presso lo stabilimento Micron di Singapore ed è ora disponibile per i clienti, anche attraverso la linea di unità a stato solido di consumo di Crucial. La società introdurrà ulteriori nuovi prodotti basati su questa tecnologia durante l'anno solare 2021.
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