L'altro giorno, il vicepresidente della divisione Samsung dal produttore di chip a contratto Jeon Gi-tae in un'intervista con la pubblicazione The Elec segnalato, che nel futuro processo tecnologico SF1.4 (classe 1,4 nm), il numero di canali nei transistor sarà aumentato da tre a quattro, il che porterà vantaggi tangibili in termini di prestazioni e consumo energetico. Ciò accadrà tre anni dopo il rilascio di transistor simili di Intel, che forzerà Samsung raggiungere il concorrente.
Azienda Samsung è stata la prima a produrre transistor con un gate che circonda completamente i canali dei transistor (SF3E). Ciò è accaduto più di un anno fa e viene utilizzato in modo abbastanza selettivo. Ad esempio, questo tipo di processo da 3 nm viene utilizzato per produrre chip per i minatori di criptovaluta. I canali nei transistor del nuovo processo tecnologico sono sottili nanofogli posti uno sopra l'altro. Nei transistor Samsung tre di questi canali, che sono circondati da una barriera su tutti e quattro i lati e quindi la corrente li attraversa sotto un controllo preciso con una perdita minima.
Intel, al contrario, inizierà a produrre i suoi primi transistor con canali nanosheet nel 2024 utilizzando il processo RibbonFET Gate-All-Around (GAA) da 2 nm. Fin dall'inizio, avranno quattro canali di nanosheet ciascuno. Ciò significa che i transistor GateGAA di Intel saranno più efficienti di transistor simili Samsung, saranno in grado di far passare una corrente più elevata e saranno più efficienti dal punto di vista energetico rispetto ai transistor del concorrente sudcoreano. Durerà circa tre anni fino a quando Samsung non inizierà a produrre chip secondo il processo tecnico SF1.4, previsto per il 2027. Come è ormai noto, diventeranno anche "quattro foglie": riceveranno quattro canali ciascuno invece dei tre di oggi.
Se sarà un'altra questione Samsung rimanere effettivamente indietro rispetto a Intel in termini di producibilità? A quel punto, l'azienda sudcoreana avrà cinque anni di esperienza nella produzione di massa di transistor GAA, mentre Intel rimarrà una nuova arrivata. E con la produzione di tali transistor, tutto non è affatto semplice, perché Samsung utilizza questo processo tecnico in modo molto, molto selettivo. In ogni caso, il passaggio ad una nuova architettura di transistor rappresenterà una svolta significativa per l’industria dei semiconduttori e consentirà di spostare la barriera oltre la quale la produzione tradizionale di semiconduttori non sarà più all’avanguardia ancora per qualche anno. .
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