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SK hynix ha annunciato di aver sviluppato la memoria HBM3E, una memoria ad accesso casuale ad alta velocità (DRAM) di nuova generazione per il calcolo ad alte prestazioni e in particolare per il campo dell'intelligenza artificiale. Questa memoria, secondo l'azienda, è la più produttiva al mondo ed è attualmente in fase di verifica e test da parte dei clienti SK hynix.
HBM (High Bandwidth Memory) è una memoria ad alta velocità, che è una pila di diversi chip DRAM collegati verticalmente, che fornisce un aumento significativo della velocità di elaborazione dei dati rispetto ai chip DRAM convenzionali. HBM3E è una versione migliorata della memoria HBM3 di quinta generazione, che ha sostituito le generazioni precedenti: HBM, HBM2, HBM2E e HBM3.
SK hynix sottolinea che il successo dello sviluppo di HBM3E è stato reso possibile dall'esperienza dell'azienda come unico produttore di massa di HBM3. La produzione di massa di HBM3E dovrebbe iniziare nella prima metà del prossimo anno, il che rafforzerà la posizione di leader dell'azienda nel mercato delle memorie AI.
Secondo SK hynix, il nuovo prodotto non solo soddisfa i più elevati standard del settore per la velocità, un parametro di memoria chiave per le attività di intelligenza artificiale, ma anche in altre categorie, tra cui capacità, dissipazione del calore e usabilità. L'HBM3E è in grado di elaborare dati a velocità fino a 1,15 TB/s, che equivale a trasferire più di 230 filmati Full HD di 5 GB ciascuno al secondo.
Inoltre, l'HBM3E ha una dissipazione del calore migliorata del 10% grazie all'uso della tecnologia avanzata Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF2). La nuova memoria fornisce anche la compatibilità con le versioni precedenti, che ti consentirà di utilizzarla negli acceleratori esistenti creati con HBM3.
“Lavoriamo con SK hynix da molto tempo nel campo delle memorie a larghezza di banda elevata per soluzioni avanzate di calcolo accelerato. Non vediamo l’ora di continuare la nostra collaborazione con HBM3E per costruire la prossima generazione di computing AI”, ha affermato Ian Buck, Vice President of Hyperscale and High Performance Computing presso NVIDIA.
Sungsoo Ryu, responsabile della pianificazione dei prodotti DRAM presso SK hynix, ha sottolineato che l'azienda ha rafforzato la propria posizione di mercato aggiungendo alla linea di prodotti HBM, che è sotto i riflettori alla luce dello sviluppo della tecnologia AI.
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